硫化物稀磁半导体在自旋电子学领域的潜在应用引起研究者广泛关注。MS(M=Zn,Cd）基稀磁半导体的研究方向主要集中在过渡元素和磁性元素掺杂，其研究受到磁性掺杂元素固溶度低和居里温度低等问题的困扰。针对稀磁半导体纳米材料在电子元器件、半导体芯片、集成电路有广泛应用问题。Cr掺杂CdS铁磁性起源与CdS晶格中Cr掺杂产生结构缺陷有关，Cr掺杂量CdS铁磁性的起源归因于双交换机制。用溶剂热法合成具有室温铁磁性能Cr掺杂CdS纳米棒。